科研實驗專用氧化鎵靶材Ga2O3磁控濺射靶材電子束鍍膜蒸發(fā)料

產品介紹

氧化鎵（Ga2O3）別名是三氧化二鎵，是一種寬禁帶半導體，Eg=4.9eV；不溶于水，微溶于熱酸或堿溶液，易溶于堿金屬氫氧化物和稀無機酸；有α，β兩種變體，α型為白色菱形六面體，熔點：1900℃(在600℃時轉化為β型)。用作高純分析試劑、用于電子工業(yè)半導體材料制備。它是一種透明的氧化物半導體材料，在光電子器件方面有廣闊的應用前景 ，
被用作于Ga基半導體材料的絕緣層，以及紫外線濾光片。它還可以用作O2化學探測器。

      產品參數(shù)       

中文名稱：氧化鎵

中文別名：三氧化二鎵

英文名稱：Gallium(Iii) Oxide (metals Basis) 

CAS號：12024-21-4

分子式：Ga2O3

分子量：189.46000

精確質量：187.85200

PSA：43.37000

外觀與性狀：白色靶材

密度：5.88

熔點：1740oC

折射率：1.92

穩(wěn)定性：穩(wěn)定。 與鎂不相容。

純度 99.99%

儲存條件：庫房通風低溫干燥
用作高純分析試劑、用于電子工業(yè)半導體材料制備。 用作高純分析試劑、半導體材料。

支持靶材定制，請?zhí)峁┌胁漠a品的元素、比例（重量比或原子比）、規(guī)格，我們會盡快為您報價??！ 
服務項目：靶材成份比例、規(guī)格、純度均可按需定制。科研單位貨到付款，質量保證，售后無憂！
產品附件：發(fā)貨時產品附帶裝箱單/質檢單/產品為真空包裝
適用儀器：多種型號磁控濺射、熱蒸發(fā)、電子束蒸發(fā)設備 
質量控制：嚴格控制生產工藝，采用輝光放電質譜法GDMS或ICP光譜法等多種檢測手段，分析雜質元素含量保證材料的高純度與細小晶粒度；可提供質檢報告。 
加工流程：熔煉→提純→鍛造→機加工→檢測→包裝出庫
      陶瓷化合物靶材本身質脆且導熱性差，連續(xù)長時間濺射易發(fā)生靶裂情況，綁定背靶后，可提高化合物靶材的導熱性能，提高靶材的使用壽命。我們強烈建議您，選購陶瓷化合物靶材一定要綁定銅背靶！
       我公司采用高純銦作為焊料，銦焊厚度約為0.2mm，高純無氧銅作為背靶。
       注意：高純銦的熔點約為156℃，靶材工作溫度超過熔點會導致銦熔化！綁定背靶不影響靶材的正常使用！
       建議：陶瓷脆性靶材、燒結靶材，高功率下濺射易碎，建議濺射功率不超過3W/cm2。