科研實驗專用氧化鉿靶材HfO2靶材磁控濺射靶材電子束鍍膜蒸發(fā)料

產(chǎn)品介紹

氧化鉿（HfO2）常溫常壓下為白色固體，熔點：2758℃，沸點：5400℃，密度：9.68g/cm3，難溶于水，常溫常壓下穩(wěn)定，避免與酸接觸；當(dāng)加熱到高溫時鉿與氧直接化合生成氧化鉿；也可通過其硫酸鹽或草酸鹽經(jīng)灼燒而得。用于光譜分析及催化劑體系，耐熔材料；是一種具有寬帶隙和高介電常數(shù)的陶瓷材料，近來在工業(yè)界特別是微電子領(lǐng)域被引起極度的關(guān)注，由于它最可能替代目前硅基集成電路的核心器件金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(MOSFET)的柵極絕緣層二氧化硅(SiO2)，以解決目前MOSFET中傳統(tǒng)SiO?/Si結(jié)構(gòu)的發(fā)展的尺寸極限問題。

產(chǎn)品參數(shù)
       中文名 二氧化鉿        化學(xué)式 HfO2     沸點 5400℃
       分子量 210.49           熔點 2758℃      密 度 9.68g/cm3
       純度 99.99%

支持靶材定制，請?zhí)峁┌胁漠a(chǎn)品的元素、比例（重量比或原子比）、規(guī)格，我們會盡快為您報價??！ 
服務(wù)項目：靶材成份比例、規(guī)格、純度均可按需定制。科研單位貨到付款，質(zhì)量保證，售后無憂！
產(chǎn)品附件：發(fā)貨時產(chǎn)品附帶裝箱單/質(zhì)檢單/產(chǎn)品為真空包裝
適用儀器：多種型號磁控濺射、熱蒸發(fā)、電子束蒸發(fā)設(shè)備 
質(zhì)量控制：嚴(yán)格控制生產(chǎn)工藝，采用輝光放電質(zhì)譜法GDMS或ICP光譜法等多種檢測手段，分析雜質(zhì)元素含量保證材料的高純度與細(xì)小晶粒度；可提供質(zhì)檢報告。 
加工流程：熔煉→提純→鍛造→機加工→檢測→包裝出庫
        陶瓷化合物靶材本身質(zhì)脆且導(dǎo)熱性差，連續(xù)長時間濺射易發(fā)生靶裂情況，綁定背靶后，可提高化合物靶材的導(dǎo)熱性能，提高靶材的使用壽命。我們強烈建議您，選購陶瓷化合物靶材一定要綁定銅背靶！
       我公司采用高純銦作為焊料，銦焊厚度約為0.2mm，高純無氧銅作為背靶。
       注意：高純銦的熔點約為156℃，靶材工作溫度超過熔點會導(dǎo)致銦熔化！綁定背靶不影響靶材的正常使用！
       建議：陶瓷脆性靶材、燒結(jié)靶材，高功率下濺射易碎，建議濺射功率不超過3W/cm2。