科研實驗專用 一氧化硅靶材SiO磁控濺射靶材電子束鍍膜蒸發料

產品介紹

 一氧化硅(SiO)常溫常壓下為黑棕色至黃土色無定形粉末，難溶于水，能溶于稀氫氟酸和硝酸的混酸中并放出四氟化硅，熔點：1702°C，沸點：1880°C，密度2.13g/cm3，一氧化硅不太穩定，在空氣中會氧化成二氧化硅膜而鈍化，僅在高于1200℃才穩定；在氧氣中燃燒，和水反應生成氫氣。一氧化硅微粉末因極富有活性，可作為精細陶瓷合成原料，如氮化硅、碳化硅精細陶瓷粉末原料；用作光學玻璃和半導體材料的制備；在真空中將其蒸發，涂在光學儀器用的金屬反射鏡面上，作為保護膜；半導體材料的制備。

產品參數
中文名 一氧化硅         化學式 SiO         分子量 44.08
熔點 1702℃              沸點 1880℃       密 度 2.13g/cm3
純度 99.99%              外觀 黑棕色至黃土色無定形粉末

支持靶材定制，請提供靶材產品的元素、比例（重量比或原子比）、規格，我們會盡快為您報價！！ 
服務項目：靶材成份比例、規格、純度均可按需定制。科研單位貨到付款，質量保證，售后無憂！
產品附件：發貨時產品附帶裝箱單/質檢單/產品為真空包裝
適用儀器：多種型號磁控濺射、熱蒸發、電子束蒸發設備 
質量控制：嚴格控制生產工藝，采用輝光放電質譜法GDMS或ICP光譜法等多種檢測手段，分析雜質元素含量保證材料的高純度與細小晶粒度；可提供質檢報告。 
加工流程：熔煉→提純→鍛造→機加工→檢測→包裝出庫
      陶瓷化合物靶材本身質脆且導熱性差，連續長時間濺射易發生靶裂情況，綁定背靶后，可提高化合物靶材的導熱性能，提高靶材的使用壽命。我們強烈建議您，選購陶瓷化合物靶材一定要綁定銅背靶！
       我公司采用高純銦作為焊料，銦焊厚度約為0.2mm，高純無氧銅作為背靶。
       注意：高純銦的熔點約為156℃，靶材工作溫度超過熔點會導致銦熔化！綁定背靶不影響靶材的正常使用！
       建議：陶瓷脆性靶材、燒結靶材，高功率下濺射易碎，建議濺射功率不超過3W/cm2。