澤攸SEM/TEM原位分析集成了掃描探針控制單元，可在三維空間內對電學探針與光纖探針進行亞納米級別精度的操縱。通過電學探針施加電場，通過光纖施加光場，對單個納米結構進行操控并進行電學性質、光電性質的測量。并可在物性測量的同時，動態、高分辨地對樣品的晶體結構、化學組分、元素價態進行綜合表征，大大地擴展了掃描電鏡的功能與應用領域。

澤攸SEM/TEM原位分析性能指標：

1、電學測量指標：
①包含一個電流電壓測試單元；
②電流測量±1.5 A，±100 fA；
③電壓輸出±200 V，±100 nV；
④自動電流-電壓（I-V）測量、電流-時間（I-t）測量，自動保存。

2、掃描探針操作指標：
①粗調范圍：XY方向2.5 mm，Z方向1.5 mm；
②細調范圍：XY方向18 um，Z方向1.5 um；
③細調分辨率：XY方向0.4 nm，Z方向0.04 nm。

3、光纖指標：
①光纖外徑250 um，保證電鏡系統真空指標；
②可選光纖探針、平頭光纖、光纖透鏡；
③可選SMA接頭、FC接頭。

4、力學傳感器指標：
①載荷100 mN（可選0.1 mN、1 mN、10 mN、100 mN）；
②力測量實測噪聲優于5nN（0.1 mN大載荷時）；
③力測量實測分辨率優于5 nN（0.1 mN大載荷時）；
④自動測量力-距離曲線，自動保存。

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